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三安光电建设长沙三安第三代半导体产业园区项目

发布时间:2020-07-17 点击数:1207

  三安光电股份有限公司在长沙高新区,建设第三代半导体产业园区项目,拟估总投资 160 亿元。 2020年 6 月 15 日与长沙高新区管委会签署《项目投资建设合同》。待项目办结完前期手续后24 个月内完成一期项目建设并实现投产,48 个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产,72 个月内项目全部建成并达产。


  项目建设内容包括新建第三代半导体的研发及产业化生产厂房、办公等相关配套设施;配置相关研发、生产配套设备,建设构成第三代半导体产业园区项目,长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装工序的完整产业链,形成研发、生产及销售 6 吋 SIC 导电衬底、4 吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET 外延、SIC 二极管外延芯片、SiC MOSFET 芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装 MOSFET的生产能力。


来源:湖南能源自媒体

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