三安光电股份有限公司在长沙高新区，建设第三代半导体产业园区项目，拟估总投资 160 亿元。 2020年 6 月 15 日与长沙高新区管委会签署《项目投资建设合同》。待项目办结完前期手续后24 个月内完成一期项目建设并实现投产，48 个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72 个月内项目全部建成并达产。
项目建设内容包括新建第三代半导体的研发及产业化生产厂房、办公等相关配套设施；配置相关研发、生产配套设备，建设构成第三代半导体产业园区项目，长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装工序的完整产业链，形成研发、生产及销售 6 吋 SIC 导电衬底、4 吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET 外延、SIC 二极管外延芯片、SiC MOSFET 芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装 MOSFET的生产能力。
来源：湖南能源自媒体
